Родился в 1957 г. в Москве.
Окончил физический факультет МГУ (1980).
Тема докторской диссертации «Примесные метастабильные
состояния в теллуридах свинца и олова, легированных
элементами III группы».
Член Научного Совета РАН по физике полупроводников,
заместитель председателя учебно-методического совета по
физике учебно-методического объединения по классическому
университетскому образованию,
член Ученого Совета физического факультета МГУ.
Область научных интересов: Физика полупроводников,
физика узкощелевых полупроводников, детекторы терагерцового
излучения, органические полупроводники, физика
полупроводниковых наноструктур
Основные направления работы и полученные результаты:
Обнаружены и исследованы такие новые физические явления
как
- гигантское отрицательное магнитосопротивление с
амплитудой до 106;
- локализация и делокализация в сверхсильных магнитных
полях;
- СВЧ-стимуляция задержанной фотопроводимости,
позволяющая увеличить квантовую эффективность
полупроводника до 102;
- СВЧ-резонанс задержанной фотопроводимости;
- селективная фононно-стимулированная фотопроводимость,
наблюдаемая на частотах терагерцового диапазона;
-
и многие другие.
- Разработаны физические принципы работы новых
фотоприемных устройств инфракрасного и терагерцового
диапазонов и сконструировал инфракрасный радиометр нового
типа, превосходящий по ряду параметров все известные
мировые аналоги.
- Предложена и экспериментально обоснована возможность
реализации высокочувствительной «непрерывной» фокальной
матрицы изображения принципиально нового типа, работающей
в терагерцовом диапазоне.
- Помимо вышеперечисленных областей, развивается ряд
новых направлений, в частности, исследование
транспортных, оптических и фотоэлектрических свойств
супрамолекулярных органических полупроводников, нитридов
III группы и некоторых других материалов.
e-mail: khokhlov (at) mig.phys.msu.ru
Список публикаций. (pdf)
|